IRLML2803TRPBF vs IRLML0030TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRLML2803TRPBF bằng Infineon và IRLML0030TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRLML2803TRPBF IRLML0030TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2803TRPBF —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V IR HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A 5.3 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] Logic-level (5 V optimized)
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW 1.3 W
Hộp Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (TJ) -55C to +150C
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
Cấp MSL 1 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free —
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 27 mOhm at VGS=4.5V
Total Gate Charge (Qg) — 3.6 nC typical
Soldering — Wave-solder capable
Qualification — JEDEC standard
Trạng thái RoHS — Compliant

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá