Цены на память меняются ежедневно — цены на сайте могут отставать от рынка. Пожалуйста, отправьте запрос (RFQ) для получения актуального предложения.
Запросить актуальную цену →
Samsung Electronics

K4B4G1646E-BCNB - 4Gb DDR3 SDRAM, 256Mx16, 1.35V | Samsung

Артикул: K4B4G1646E-BCNB ✓ Активен
В наличии Отправка в течение 1–3 рабочих дней
1.35 V (1.283 V to 1.45 V) Vdss 96-ball FBGA Package DDR3 SDRAM Memory
От $13.5227 USD / шт.
MOQ: 1 |
Цена обновлена: 2026-08-17
Оптовые цены
Кол-во Цена за ед. Итого
1 $23.1818 $23,18
10 $16.7424 $167,42
100 $14.8106 $1.481,06
500 $14.1667 $7.083,35
1.000 $13.5227 $13.522,70
ℹ️ Все цены указаны в USD

K4B4G1646E-BCNB Обзор

Samsung K4B4G1646E-BCNB — это 4Gb DDR3 SDRAM с организацией 256Mx16, работающая при напряжении 1.35V (низковольтная) со скоростью передачи данных 1866 Mbps. Идеально подходит для мобильных и встраиваемых приложений, требующих высокой пропускной способности и низкого энергопотребления. Устройство поставляется в корпусе 96-ball FBGA и соответствует требованиям RoHS.

Аналоги без доработки для K4B4G1646E-BCNB — тот же корпус, pin-to-pin совместимость. Компоненты в других корпусах, требующие переработки PCB, исключены.

Варианты в этой серии

Модели той же серии, совместимые без доработки с K4B4G1646E-BCNB (тот же форм-фактор и посадочное место) — отличается по Package, Memory Type, Operating Temperature, Supply Voltage, Burst Length.

Samsung Electronics
Package: 96-FBGA
Supply Voltage: 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V)
Сравнить с K4B4G1646E-BCNB →
Samsung Electronics
Package: 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch)
Memory Type: DDR3L SDRAM
Operating Temperature: 0°C to +95°C (TC)
Сравнить с K4B4G1646E-BCNB →

Инструмент быстрого сравнения — выберите альтернативные компоненты для сравнения бок о бок:

MT41K256M16TW-107

Micron Technology
DDR3L SDRAM · 4 Gbit · 256M x 16 · Parallel · 933 MHz (DDR3L-1866) · 20 ns · 1.35 V · 16 bit

✓ В наличии

$14.1 / шт.

Открыть даташит →

H5TQ4G63AFR-H9C

SK hynix
DDR3 SDRAM · 4 Gb · 256M x 16 · 1.5 V · 0.255 ns · 96-ball TFBGA · RECTANGULAR · 8192

✓ В наличии

$6.5 / шт.

Открыть даташит →

IS43TR16256A-15HBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
DDR3 SDRAM · 4 Gbit · 256M x 16 · 667 MHz · 1333 Mbps · 20 ns · 1.5 V · 96-TWBGA (9x13 mm)

✓ В наличии

$10.3409 / шт.

Открыть даташит →

W632GU6NB

Winbond DDR3 4Gb 256Mx16

📋 Справочный аналог (нет в каталоге)

AS4C256M16D3L-12BCN

Alliance Memory
DDR3L SDRAM · 4 Gbit · 256M x 16 · 16 bit · 800 MHz · 1600 Mbps · 20 ns · 1.35 V

✓ В наличии

$6 / шт.

Открыть даташит →

K4B4G1646E-BCNB Максимальные параметры и электрические характеристики

Тип памяти DDR3 SDRAM
Размер памяти 4 Gb
Организация памяти 256M x 16
Напряжение питания 1.35 V (1.283 V to 1.45 V)
Скорость передачи данных 1866 Mbps
Рабочая температура 0C to +95C
Корпус 96-ball FBGA
Тип монтажа Surface Mount
Статус RoHS Compliant
Количество выводов 96
Тип интерфейса Parallel
Refresh 8K / 64 ms
Burst Length 8, 4 (fixed)

Конфигурация выводов K4B4G1646E-BCNB

Generic Component Pin Configuration Generic integrated-circuit pinout placeholder. Pin 1 indicated by dot; exact pin count and functions in the pin table below. 1 N 2 N-1 3 N-2 4 N-3 Pin Configuration See pin table below for pin functions Package-specific diagram not available
Контакт A1 VDD — Power supply (1.35V)
Контакт A2 DQ0 — Data I/O 0
Контакт A3 DQ1 — Data I/O 1
Контакт B1 VSS — Ground
Контакт B2 DQ2 — Data I/O 2
Контакт B3 DQ3 — Data I/O 3
Контакт C1 VDDQ — DQ power supply
Контакт C2 DQS0 — Data strobe 0 (positive)
Контакт C3 DQS0# — Data strobe 0 (negative)
Контакт D1 VSS — Ground
Контакт D2 CLK — Clock input
Контакт D3 CLK# — Complementary clock input
Контакт E1 CKE — Clock enable
Контакт E2 CS# — Chip select
Контакт E3 RAS# — Row address strobe
Контакт F1 CAS# — Column address strobe
Контакт F2 WE# — Write enable
Контакт F3 BA0 — Bank address 0
Контакт G1 BA1 — Bank address 1
Контакт G2 A0 — Address input 0
Контакт G3 A1 — Address input 1

Типичное применение

K4B4G1646E-BCNB подходит для 6 применениеs: Mobile Computing, Embedded Systems, Networking Equipment, Consumer Electronics, Automotive Infotainment, Industrial Automation.

📱

Mobile Computing

Used in laptops and tablets for main memory with low power consumption.

🏭

Embedded Systems

Ideal for industrial single-board computers and IoT gateways.

🌐

Networking Equipment

Used in routers, switches, and network appliances for packet buffering.

📺

Consumer Electronics

Found in smart TVs, set-top boxes, and gaming consoles.

🚗

Automotive Infotainment

Used in car infotainment systems and navigation units.

🏭

Industrial Automation

Deployed in PLCs and HMI panels for data logging and display.

What is the supply voltage range for K4B4G1646E-BCNB?
The supply voltage is 1.35V nominal, with a range of 1.283V to 1.45V for low-voltage DDR3 operation.
What is the maximum data rate of this DDR3 SDRAM?
The K4B4G1646E-BCNB supports a data rate of 1866 Mbps per pin.
What is the memory organization of K4B4G1646E-BCNB?
It is organized as 256M words x 16 bits, totaling 4 Gb.
What package does K4B4G1646E-BCNB come in?
It is housed in a 96-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package.
Is K4B4G1646E-BCNB RoHS compliant?
Yes, the device is RoHS compliant.
What is the operating temperature range?
The operating temperature range is 0°C to +95°C (case temperature).
Can K4B4G1646E-BCNB be used in mobile applications?
Yes, its low voltage (1.35V) and high density make it suitable for mobile and embedded applications.
What is the difference between DDR3 and DDR3L?
DDR3L operates at 1.35V, while standard DDR3 operates at 1.5V. K4B4G1646E-BCNB is a DDR3L device.
Does K4B4G1646E-BCNB support ECC?
No, this is a non-ECC memory. ECC versions are typically x72 organizations.
What is the burst length supported?
It supports burst lengths of 8 and 4 (fixed).
What is the refresh requirement?
It requires 8K refresh cycles every 64 ms.
Is K4B4G1646E-BCNB compatible with DDR3 sockets?
Yes, it is pin-compatible with standard DDR3 sockets, but voltage levels must match.
What is the typical power consumption?
[DATA_NEEDED: Typical power consumption] Please refer to the datasheet for detailed power numbers.
What is the part number suffix meaning?
The suffix 'E' indicates the generation, 'B' indicates package type (FBGA), 'CNB' indicates speed and temperature grade.
Where can I find the full datasheet?
The datasheet is available on Samsung's semiconductor website at the provided URL.
Быстрый запрос цены (RFQ)
Заполните все данные — наша команда продаж ответит в течение 24 часов
Артикул Производитель Корпус QTY Целевая цена Итого
Итого: $0.00 USD
✓
Запрос цены отправлен!

Мы ответим на ваш email в течение 24 часов

1
RFQ отправлен
2
Предложение получено
3
Заказ оформлен
4
Оплата
5
Отправлено
6
Доставлено
Просмотреть детали RFQ