EP3SE260H780C4N vs EP3SE260H780C4L Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng EP3SE260H780C4N sa pamamagitan ng Intel at EP3SE260H780C4L sa pamamagitan ng Intel. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro EP3SE260H780C4N EP3SE260H780C4L
Brand Intel Intel
Kategorya FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Katayuan ng Lifecycle NRND NRND
Family Stratix III E (Enhanced) Stratix III E
Logic Elements 255,000 255,000
Logic Array Blocks (LABs) 10,200 —
Total RAM Bits 16,672,768 16,672,768 (16.7 Mbit)
Embedded Memory M9K and M144K blocks —
User I/O Pins 488 —
DSP Blocks (18x18 Multipliers) 768 —
PLLs 12 —
Process Node 65 nm CMOS —
Core Voltage 0.86 V to 1.15 V 0.9 V (nominal)
Maximum Core Clock Frequency 450 MHz —
Packhaging 780-ball FCBGA (Flip Chip BGA) 780-ball FCBGA (HBGA 33x33 mm)
Uri ng Pagpapasok Surface Mount Surface Mount (flip-chip BGA)
Level ng Sensitivity sa Asid ng Moisture (MSL) 3 (168 hours) —
Temperature na Operasyon 0C to +85C (commercial) —
Configuration Method Serial/Parallel via Quartus II —
LABs/CLBs — 10,200
User I/O Count — 488
Speed Grade — C4 (middle/slow tier)
Temperature ng Junction na Operasyon — 0C to +85C (commercial)
Level ng MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Tindminan RoHS — Compliant (lead-free per datasheet)
Transceivers — Up to 24 multi-gigabit transceivers
Memory Interface — DDR3, DDR2, QDRII+, RLDRAM II controllers
Configuration Mode — PS, FPP, JTAG with EPCS/EPCQ

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita