1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1ED3124MC12HXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDI60H12AHXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1ED3124MC12HXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
Çıkış Sayısı 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Galvanic isolation via coreless transformer
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
Artış Süresi 15 ns —
Düşüş Süresi 30 ns —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet]
Paket PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Product Type — Single-channel high-side gate driver IC
Isolation Voltage Rating — 1200 V
Number of Channels — 1
Peak Source Current (typ.) — 10.0 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.4 A
Çıkış Konfigürasyonu — Separate source and sink (SEP) outputs
Input Compatibility — CMOS / TTL logic
Driven Device — IGBT (and MOSFET / SiC compatible)
Creepage Distance — 8 mm
Short-Circuit Protection — Short-circuit clamping
MSL Seviyesi — 2 (1 year floor life)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin