1ED3124MC12HXUMA1 vs 1EDI60H12AHXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1ED3124MC12HXUMA1 توسط Infineon و 1EDI60H12AHXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1ED3124MC12HXUMA1 1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 - 14A Isolated Gate Driver, 5.7kV | Infineon

1ED3124MC12HXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 1ED3124MC12HXUMA1 1EDI60H12AHXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Channel Type Single-channel —
Configuration High-side / Low-side (non-inverting) —
Number of Drivers 1 —
تعداد خروجی‌ها 1 —
Peak Source Current 13.5 A —
Peak Sink Current 14 A —
Isolation Technology Magnetic coupling (coreless transformer) Galvanic isolation via coreless transformer
Isolation Voltage (RMS) 5.7 kV —
Transient Overvoltage 8000 Vpk —
Supply Voltage (VCC2) 10.5 V to 35 V —
Supply Current (Max) 1.1 mA —
Propagation Delay (Typ) 90 ns —
زمان صعود 15 ns —
زمان افت 30 ns —
دمای کاری -40 C to +125 C -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet]
بسته‌بندی PG-DSO-8 (DSO-8) PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Protections UVLO, Short-Circuit (DESAT) —
Target Devices IGBT, SiC MOSFET —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Product Type — Single-channel high-side gate driver IC
Isolation Voltage Rating — 1200 V
Number of Channels — 1
Peak Source Current (typ.) — 10.0 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.4 A
پیکربندی خروجی — Separate source and sink (SEP) outputs
Input Compatibility — CMOS / TTL logic
Driven Device — IGBT (and MOSFET / SiC compatible)
Creepage Distance — 8 mm
Short-Circuit Protection — Short-circuit clamping
سطح MSL — 2 (1 year floor life)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت