1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDI60H12AHXUMA1 tarafından Infineon ve 1ED3122MC12HXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDI60H12AHXUMA1 1ED3122MC12HXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Product Type Single-channel high-side gate driver IC Isolated Gate Driver (single-channel)
Isolation Technology Galvanic isolation via coreless transformer Coreless Transformer (CT)
Isolation Voltage Rating 1200 V —
Number of Channels 1 1
Peak Source Current (typ.) 10.0 A —
Peak Sink Current (typ.) 9.4 A —
Çıkış Konfigürasyonu Separate source and sink (SEP) outputs —
Input Compatibility CMOS / TTL logic —
Driven Device IGBT (and MOSFET / SiC compatible) —
Paket PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Creepage Distance 8 mm —
Short-Circuit Protection Short-circuit clamping —
MSL Seviyesi 2 (1 year floor life) 2
RoHS Durumu Compliant Compliant
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] -40 C to +125 C
Isolation Voltage (Vrms) — 5.7 kVrms
Maximum Transient Isolation (Vpk) — 8 kVpk
Output Current (source / sink) — 10 A / 9 A
Configuration — High-side, non-inverting
Supply Voltage (VCC / VBS) — 8 V to 35 V
Propagation Delay (typ.) — 30 ns
Rise Time / Fall Time (typ.) — 15 ns / 30 ns
Miller Clamp — Active (integrated)
Short-Circuit Clamping — Yes
UVLO — Primary and secondary side

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin