1EDI60H12AHXUMA1 vs 1ED3122MC12HXUMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDI60H12AHXUMA1 توسط Infineon و 1ED3122MC12HXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 - 1200V Isolated Gate Driver, 10A Source | Infineon
1EDI60H12AHXUMA1 ✓ فعال
مقایسه مشخصات
| پارامتر | 1EDI60H12AHXUMA1 | 1ED3122MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Product Type | Single-channel high-side gate driver IC | Isolated Gate Driver (single-channel) |
| Isolation Technology | Galvanic isolation via coreless transformer | Coreless Transformer (CT) |
| Isolation Voltage Rating | 1200 V | — |
| Number of Channels | 1 | 1 |
| Peak Source Current (typ.) | 10.0 A | — |
| Peak Sink Current (typ.) | 9.4 A | — |
| پیکربندی خروجی | Separate source and sink (SEP) outputs | — |
| Input Compatibility | CMOS / TTL logic | — |
| Driven Device | IGBT (and MOSFET / SiC compatible) | — |
| بسته‌بندی | PG-DSO-8-59 (DSO-8 with 8 mm creepage) | PG-DSO-8-66 (300-mil DSO-8) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Creepage Distance | 8 mm | — |
| Short-Circuit Protection | Short-circuit clamping | — |
| سطح MSL | 2 (1 year floor life) | 2 |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| دمای کاری | -40C to +125C [DATA_NEEDED: confirm exact range from datasheet] | -40 C to +125 C |
| Isolation Voltage (Vrms) | — | 5.7 kVrms |
| Maximum Transient Isolation (Vpk) | — | 8 kVpk |
| Output Current (source / sink) | — | 10 A / 9 A |
| Configuration | — | High-side, non-inverting |
| Supply Voltage (VCC / VBS) | — | 8 V to 35 V |
| Propagation Delay (typ.) | — | 30 ns |
| Rise Time / Fall Time (typ.) | — | 15 ns / 30 ns |
| Miller Clamp | — | Active (integrated) |
| Short-Circuit Clamping | — | Yes |
| UVLO | — | Primary and secondary side |