1EDN7116GXTMA1 vs 1ED3127MU12FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7116GXTMA1 tarafından Infineon ve 1ED3127MU12FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 1EDN7116GXTMA1 1ED3127MU12FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Single-channel isolated gate driver
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) —
Peak Sink Current 4 A (typ) —
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -40 °C to +125 °C -40C to +125C
Paket PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-DSO-8-72 (SOIC-8 wide-body)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi MSL3 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
Çıkış Sayısı — 1
Çıkış Konfigürasyonu — High-side / Low-side, Inverting / Non-Inverting
Peak Output Current — 10 A (source/sink)
Continuous Output Current — 9 A
Supply Voltage (VCC2 secondary) — 12 V to 35 V
Supply Voltage (VCC1 primary) — 3 V to 5.5 V
Propagation Delay (typ.) — 15 ns
Delay Matching (typ.) — 30 ns
Galvanic Isolation — 3000 Vrms (coreless transformer)
Protection Features — Miller clamp, UVLO, DESAT short-circuit protection
Drives — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin