1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7512GXTMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 1EDN7116GXTMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7512GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 1EDN7116GXTMA1 | 1EDN7512GXTMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Fonksiyon | Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs | Low-side gate driver, single channel |
| Driver Configuration | Non-inverting, single low-side | — |
| Number of Drivers | 1 | — |
| Peak Source Current | 2 A (typ) | 4 A |
| Peak Sink Current | 4 A (typ) | 8 A |
| Input Type | Truly Differential Input (TDI) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Switch-Node Blocking Voltage | 200 V (max) | — |
| Propagation Delay (Typ) | 9 ns | — |
| Rise Time (Typ) | 3 ns | — |
| Fall Time (Typ) | 3 ns | — |
| Quiescent Current (Typ) | 0.6 mA | — |
| Miller Clamp | Integrated, active | — |
| UVLO | Yes (VCC and gate-rail monitored) | [DATA_NEEDED: UVLO threshold] |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -40 °C to +125 °C | -40 C to +125 C |
| Paket | PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) | PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL Seviyesi | MSL3 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Target Switch Technology | GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET | — |
| Çıkış Sayısı | — | 1 |
| Logic Inputs | — | Inverting and Non-Inverting |
| Propagation Delay (typical) | — | 19 ns |
| Giriş电压范围 | — | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| Input Robustness (negative) | — | -10 V |
| Artış Süresi | — | [DATA_NEEDED: typical tr] |
| Düşüş Süresi | — | [DATA_NEEDED: typical tf] |
| Lead-Free | — | Yes |