1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7512GXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 1EDN7116GXTMA1 توسط Infineon و 1EDN7512GXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر 1EDN7116GXTMA1 1EDN7512GXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver, single channel
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) 4 A
Peak Sink Current 4 A (typ) 8 A
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) [DATA_NEEDED: UVLO threshold]
محدوده دمای کاری -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C
بسته‌بندی PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL MSL3 [DATA_NEEDED: MSL rating]
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
تعداد خروجی‌ها — 1
Logic Inputs — Inverting and Non-Inverting
Propagation Delay (typical) — 19 ns
محدوده ولتاژ ورودی — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Robustness (negative) — -10 V
زمان صعود — [DATA_NEEDED: typical tr]
زمان افت — [DATA_NEEDED: typical tf]
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت