1EDN7116GXTMA1 vs 1EDN7512GXTMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 1EDN7116GXTMA1 بذریعہ Infineon اور 1EDN7512GXTMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
1EDN7512GXTMA1 1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 - 4A/8A Low-Side Gate Driver | Infineon

1EDN7512GXTMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 1EDN7116GXTMA1 1EDN7512GXTMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فنکشن Single-channel low-side gate driver for GaN HEMTs and Si MOSFETs Low-side gate driver, single channel
Driver Configuration Non-inverting, single low-side —
Number of Drivers 1 —
Peak Source Current 2 A (typ) 4 A
Peak Sink Current 4 A (typ) 8 A
Input Type Truly Differential Input (TDI) —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V —
Switch-Node Blocking Voltage 200 V (max) —
Propagation Delay (Typ) 9 ns —
Rise Time (Typ) 3 ns —
Fall Time (Typ) 3 ns —
Quiescent Current (Typ) 0.6 mA —
Miller Clamp Integrated, active —
UVLO Yes (VCC and gate-rail monitored) [DATA_NEEDED: UVLO threshold]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C
پیکیج PG-VSON-10-4 (3.0 mm × 3.0 mm) PG-WSON-6-1 (6-pin WSON with exposed pad)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول MSL3 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Target Switch Technology GaN HEMT (CoolGaN) or Si MOSFET —
آؤٹ پٹس کی تعداد — 1
Logic Inputs — Inverting and Non-Inverting
Propagation Delay (typical) — 19 ns
اِن پٹ وولٹیج رینج — [DATA_NEEDED: VCC range]
Input Robustness (negative) — -10 V
رائز ٹائم — [DATA_NEEDED: typical tr]
فال ٹائم — [DATA_NEEDED: typical tf]
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں