2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2ED2108S06FXUMA1 tarafından Infineon ve 2ED2183S06FXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2ED2108S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 1 1
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
Çıkış Sayısı 2 (high-side + low-side) 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) VCC and VBS
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Paket PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 2
RoHS Durumu Compliant Compliant
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
Artış Süresi — 15 ns
Düşüş Süresi — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin