2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של 2ED2108S06FXUMA1 מאת Infineon ו 2ED2183S06FXUMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר 2ED2108S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 1 1
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
מספר יציאות 2 (high-side + low-side) 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) VCC and VBS
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C -40 C to +125 C
מארז PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 2
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
זמן עלייה — 15 ns
זמן ירידה — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר