2ED2108S06FXUMA1 vs 2ED2183S06FXUMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2ED2108S06FXUMA1 توسط Infineon و 2ED2183S06FXUMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 2ED2108S06FXUMA1 2ED2183S06FXUMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 1 1
Gate Type N-Channel MOSFET, IGBT —
تعداد خروجی‌ها 2 (high-side + low-side) 1 (half-bridge: high-side + low-side)
Logic Input Non-Inverting —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
High-Side Bootstrap Voltage Rating 650 V —
Peak Source Current (typ.) 0.29 A —
Peak Sink Current (typ.) 0.7 A —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB) VCC and VBS
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: tr/tf ns] —
دمای کاری -40 C to +125 C -40 C to +125 C
بسته‌بندی PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 2
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Driver Type — Half-Bridge Gate Driver
Configuration — High Side, Low Side, Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 650 V
Output Current (Sink/Source) — 2.5 A typical
زمان صعود — 15 ns
زمان افت — 15 ns
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V (typ.)
Logic Input Voltage — 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN)
Input Type — Non-Inverting
Bootstrap Diode — Integrated
Terminal Finish — Tin (e3 per JESD-609)
Technology — SOI (Silicon-On-Insulator)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت