2N7002L vs BSS123IXTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2N7002L tarafından onsemi ve BSS123IXTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2N7002L BSS123IXTSA1
Marka onsemi Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Transistor Türü N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET OptiMOS Small-Signal
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
Configuration Single FET Single N-Channel
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi —
RoHS Durumu [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin