2N7002L vs BSS123IXTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 2N7002L bằng onsemi và BSS123IXTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

onsemi
2N7002L 2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L ✓ Hoạt động
Infineon
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 - 100V N-Ch 190mA OptiMOS MOSFET | Infineon

BSS123IXTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 2N7002L BSS123IXTSA1
Thương hiệu onsemi Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel Enhancement Mode MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) —
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max —
Technology High cell density trench MOSFET OptiMOS Small-Signal
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Hộp SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT-23-3 (SOT-23-3)
Configuration Single FET Single N-Channel
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi —
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 190 mA
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 500 mW
RDS(on) (typical, VGS=10 V) — 2.4 ohm
RDS(on) (max per family datasheet) — 6 ohm
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (per family datasheet)
Qualification — Industrial
Lead-Free / RoHS — Yes (per distributor listing)
Cấp MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Gate Drive Logic Level — Logic-level compatible

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá