2N7002LT1G vs FDV301N Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2N7002LT1G tarafından onsemi ve FDV301N tarafından onsemiAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre 2N7002LT1G FDV301N
Marka onsemi onsemi
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Polarity N-Channel —
Channel Mode Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDSS 60 V —
Continuous Drain Current ID 115 mA (Tc) —
Power Dissipation PD 225 mW (Ta) —
Maximum RDS(on) 7.5 ohm @ VGS = 5 V —
Configuration Single FET —
Paket SOT-23-3 (TO-236) SOT-23-3
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Kategori Small Signal MOSFET —
Technology MOSFET High cell density DMOS
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Lead Finish [DATA_NEEDED: lead finish/plating] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Packaging [DATA_NEEDED: packaging type] —
Transistor Türü — N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 25 V
Continuous Drain Current (Id) — 220 mA (Ta)
Peak Drain Current — 0.5 A
RDS(on) at VGS = 2.7 V — 5 ohm (typical)
RDS(on) typical — 4 ohm
Power Dissipation (Pd) — 350 mW (Ta)
Gate Drive Type — Logic level (no bias resistors required)
İşletim Sıcaklığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gate-Source Voltage (Vgs) Max — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: input capacitance]
Thermal Resistance (RthJA) — [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient]
RoHS Durumu — [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
MSL Seviyesi — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin