2N7002LT1G vs FDV301N השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של 2N7002LT1G מאת onsemi ו FDV301N מאת onsemi. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | 2N7002LT1G | FDV301N |
|---|---|---|
| מותג | onsemi | onsemi |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Polarity | N-Channel | — |
| Channel Mode | Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage VDSS | 60 V | — |
| Continuous Drain Current ID | 115 mA (Tc) | — |
| Power Dissipation PD | 225 mW (Ta) | — |
| Maximum RDS(on) | 7.5 ohm @ VGS = 5 V | — |
| Configuration | Single FET | — |
| מארז | SOT-23-3 (TO-236) | SOT-23-3 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר פינים | 3 | — |
| קטגוריה | Small Signal MOSFET | — |
| Technology | MOSFET | High cell density DMOS |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | — |
| Lead Finish | [DATA_NEEDED: lead finish/plating] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packaging type] | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET (Digital FET) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 220 mA (Ta) |
| Peak Drain Current | — | 0.5 A |
| RDS(on) at VGS = 2.7 V | — | 5 ohm (typical) |
| RDS(on) typical | — | 4 ohm |
| Power Dissipation (Pd) | — | 350 mW (Ta) |
| Gate Drive Type | — | Logic level (no bias resistors required) |
| טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate-Source Voltage (Vgs) Max | — | [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: input capacitance] |
| Thermal Resistance (RthJA) | — | [DATA_NEEDED: thermal resistance junction to ambient] |
| סטטוס RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| רמת MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |