BSC027N04LSGATMA1 vs BSC059N04LS6ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC027N04LSGATMA1 tarafından Infineon ve BSC059N04LS6ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC027N04LSGATMA1 | BSC059N04LS6ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 3 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | +/-20 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 24 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 2.7 mΩ | — |
| Power Dissipation (Ta=25°C) | 2.5 W | — |
| Güç Tüketimi (TC=25°C) | 83 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C | -55C to +150C |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 6 (N-channel MOSFET) |
| MSL Seviyesi | 1 | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 17 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 49 A |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C | — | 59 A |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 5.9 mOhm at VGS=10 V |
| Total Power Dissipation at TA=25C | — | 3 W |
| Total Power Dissipation at TC=25C | — | 38 W |
| Diode Continuous Forward Current (IS) | — | 38 A at TC=25C |
| Diode Pulse Current (IS,pulse) | — | 236 A at TC=25C |
| Lead-Free | — | Yes |