BSC027N04LSGATMA1 vs BSC059N04LS6ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC027N04LSGATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC059N04LS6ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC059N04LS6ATMA1 BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 - 40V 59A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

BSC059N04LS6ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC027N04LSGATMA1 BSC059N04LS6ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family OptiMOS 3 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V +/-20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 24 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 2.7 mΩ —
Power Dissipation (Ta=25°C) 2.5 W —
پاور ڈسپیشن (TC=25°C) 83 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C -55C to +150C
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 3 (Trench) OptiMOS 6 (N-channel MOSFET)
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
ہیلوجن فری Yes —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 49 A
Pulsed Drain Current (ID,pulse) at TC=25C — 59 A
On-Resistance RDS(on) max — 5.9 mOhm at VGS=10 V
Total Power Dissipation at TA=25C — 3 W
Total Power Dissipation at TC=25C — 38 W
Diode Continuous Forward Current (IS) — 38 A at TC=25C
Diode Pulse Current (IS,pulse) — 236 A at TC=25C
Lead-Free — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں