BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC027N10NS5ATMA1 tarafından Infineon ve BSC033N08NS5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC027N10NS5ATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu NRND Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) Trench (OptiMOS 5)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W 136 W
Paket PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +175C
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin