BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC027N10NS5ATMA1 bằng Infineon và BSC033N08NS5SCATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC033N08NS5SCATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 - 80V 3.3mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC033N08NS5SCATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC027N10NS5ATMA1 BSC033N08NS5SCATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời NRND Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC027N10NS5ATMA1 —
Technology OptiMOS 5 (100V) Trench (OptiMOS 5)
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 80 V
Gate-Source Voltage (VGS) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 23 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 194 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 2.7 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 214 W 136 W
Hộp PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55C to +175C
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Qualification Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) —
Series — OptiMOS 5
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (Tc) — 144 A
RDS(on) max @ VGS=10V — 3.3 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Thermal Resistance RthJC — 0.86 K/W
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá