BSC027N10NS5ATMA1 vs BSC033N08NS5SCATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC027N10NS5ATMA1 توسط Infineon و BSC033N08NS5SCATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بستهبندی، وضعیت چرخه عمر، قیمتگذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC027N10NS5ATMA1 | BSC033N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دستهبندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | NRND | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSC027N10NS5ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 5 (100V) | Trench (OptiMOS 5) |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 23 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 194 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V | 2.7 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 214 W | 136 W |
| بستهبندی | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| محدوده دمای کاری | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | -55C to +175C |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| سطح MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Qualification | Industrial (AEC-Q101 variant BSC027N10NS5 exists separately) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 144 A |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 3.3 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.86 K/W |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |