BSC032N04LSATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC032N04LSATMA1 tarafından Infineon ve IAUCN04S7L019ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC032N04LSATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 40V —
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 21 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C 98 A —
RDS(on) max at VGS=10V 3.2 mΩ —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 52 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Technology OptiMOS 5 trench —
Paket PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-33
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Jant Sıcaklığı -55°C to +175°C —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series — OptiMOS™ 7
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
İşletim Sıcaklığı — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
Jantten Ortama Termal Direnç — [DATA_NEEDED: RthJA value]
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
MSL Seviyesi — 1
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin