BSC077N12NS3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC077N12NS3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB107N20N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC077N12NS3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 200 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A 88 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C —
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO263-3 (D2PAK)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 3 (Drain, Source, Gate) + Tab
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Product Family — OptiMOS 3
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Technology — OptiMOS 3 trench MOSFET

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin