BSC077N12NS3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC077N12NS3GATMA1 توسط Infineon و IPB107N20N3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC077N12NS3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 200 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A 88 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C —
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO263-3 (D2PAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 8 3 (Drain, Source, Gate) + Tab
سطح MSL 1 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Product Family — OptiMOS 3
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
محدوده دمای کاری — [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Technology — OptiMOS 3 trench MOSFET

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت