BSC077N12NS3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC077N12NS3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB107N20N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC077N12NS3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 200 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A 88 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55C to +150C —
پیکیج PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO263-3 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 8 3 (Drain, Source, Gate) + Tab
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Product Family — OptiMOS 3
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Technology — OptiMOS 3 trench MOSFET

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں