BSC077N12NS3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC077N12NS3GATMA1 מאת Infineon ו IPB107N20N3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC077N12NS3GATMA1 IPB107N20N3GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 200 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A 88 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C —
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO263-3 (D2PAK)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 3 (Drain, Source, Gate) + Tab
רמת MSL 1 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Product Family — OptiMOS 3
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 300 W
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 9.6 milliohm (typical, per third-party listing)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: Tj max and operating range]
Technology — OptiMOS 3 trench MOSFET

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר