BSC077N12NS3GATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC077N12NS3GATMA1 tarafından Infineon ve IPD30N10S3L34ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC077N12NS3GATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
Transistor Türü N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 180 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C -55°C to +175°C
Paket PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
MSL Seviyesi 1 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
RoHS Durumu Compliant —
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Product Family — OptiMOS-T2
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin