BSC077N12NS3GATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC077N12NS3GATMA1 מאת Infineon ו IPD30N10S3L34ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר BSC077N12NS3GATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 180 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +150C -55°C to +175°C
מארז PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
מספר פינים 8 —
רמת MSL 1 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
סטטוס RoHS Compliant —
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Product Family — OptiMOS-T2
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר