BSC077N12NS3GATMA1 vs IPD30N10S3L34ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSC077N12NS3GATMA1 توسط Infineon و IPD30N10S3L34ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر BSC077N12NS3GATMA1 IPD30N10S3L34ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 3 (120 V) —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET (enhancement-mode trench) N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 120 V 100 V
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max] —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 13.4 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 98 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] 180 A
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 7.7 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Power Dissipation (PD) at Tc 139 W —
دمای اتصال کاری -55C to +150C -55°C to +175°C
بسته‌بندی PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TO252-3-11 (DPAK-2 / SC-63)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 8 —
سطح MSL 1 1 (JEDEC J-STD-020, 260°C peak reflow)
وضعیت RoHS Compliant —
Automotive Grade Yes (per Infineon part number suffix / datasheet) —
Product Family — OptiMOS-T2
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 30 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 57 W
Drain-Source On-Resistance (RDS(on) max) — 31 mΩ @ VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 1.7 V (range 1.0 V to 2.5 V)
Total Gate Charge (Qg typ) — 23 nC
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS / REACH — Compliant
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Avalanche Rated — 100% Avalanche tested

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت