BSC100N10NSFGATMA1 vs BSC093N15NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC100N10NSFGATMA1 tarafından Infineon ve BSC093N15NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 - 100V OptiMOS N-Channel MOSFET, 10mΩ | Infineon
BSC100N10NSFGATMA1 ✓ Aktif
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC100N10NSFGATMA1 | BSC093N15NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | OptiMOS 5 150V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID), Ta | 11.4 A | — |
| Continuous Drain Current (ID), Tc | 90 A | — |
| Power Dissipation (PD), Tc | 156 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 10 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Paket | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-7) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (junction) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (for rated RDS(on)) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 87 A |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=10V | — | 9.3 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 139 W |
| Gate Drive Voltage (VGS) Recommended | — | 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] |
| MSL Seviyesi | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Klorürsüz | — | [DATA_NEEDED: halogen free status] |