BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC190N15NS3G Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC190N15NS3GATMA1 tarafından Infineon ve BSC190N15NS3G tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 3 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C —
Paket PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) SuperSO8 5x6 / PG-TDSON-8-1
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant —
MSL Seviyesi 1 —
FET Type — N-Channel
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 50 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS max) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Static Drain-Source R_DS(on) max @ 10 V — 19 mOhm
Static Drain-Source R_DS(on) typ @ 10 V — [DATA_NEEDED: typical R_DS(on) at 10 V]
Total Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 125 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Pin Sayısı — 8

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin