BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC190N15NS3G So sánh

So sánh chi tiết song song của BSC190N15NS3GATMA1 bằng Infineon và BSC190N15NS3G bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3GATMA1 - 150V 50A N-Channel OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3GATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC190N15NS3G BSC190N15NS3G - 150V 50A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3G - 150V 50A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3G ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 3 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C —
Hộp PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) SuperSO8 5x6 / PG-TDSON-8-1
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS Compliant —
Cấp MSL 1 —
FET Type — N-Channel
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 50 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS max) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Static Drain-Source R_DS(on) max @ 10 V — 19 mOhm
Static Drain-Source R_DS(on) typ @ 10 V — [DATA_NEEDED: typical R_DS(on) at 10 V]
Total Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 125 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +150C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Số chân — 8

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá