BSC190N15NS3GATMA1 vs BSC190N15NS3G השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של BSC190N15NS3GATMA1 מאת Infineon ו BSC190N15NS3G מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
BSC190N15NS3G BSC190N15NS3G - 150V 50A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3G - 150V 50A N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

BSC190N15NS3G ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3G
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology OptiMOS 3 (N-Channel) OptiMOS 3 (trench-gate)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V to 3.5 V —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 19 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) typical at 10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +150 C —
מארז PG-TDSON-8-1 (TDSON-8 EP) SuperSO8 5x6 / PG-TDSON-8-1
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL 1 —
FET Type — N-Channel
Manufacturer — Infineon Technologies
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 150 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 50 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (V_GS max) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Static Drain-Source R_DS(on) max @ 10 V — 19 mOhm
Static Drain-Source R_DS(on) typ @ 10 V — [DATA_NEEDED: typical R_DS(on) at 10 V]
Total Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 125 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +150C
Lead-Free / RoHS — Yes (per Infineon product page)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — [DATA_NEEDED: MSL rating]
מספר פינים — 8

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר