BSC520N15NS3G vs BSC520N15NS3 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC520N15NS3G tarafından Infineon ve BSC520N15NS3 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC520N15NS3G BSC520N15NS3
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number BSC520N15NS3 G —
Technology OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) max 150 V —
Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C 21 A —
On-Resistance RDS(on) max 52 mΩ at VGS=10 V —
Power Dissipation (Ptot) at TC=25C 57 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
İşletim Jant Sıcaklığı -55C to +150C -55C to +150C
Paket PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC —
Channel Type N-Channel (normal level) —
Typical Application DC-DC conversion, synchronous rectification —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 21 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 84 A
On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) — 52 mOhm
Gate-Source Voltage VGS max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 3 V
Power Dissipation (TC=25C) — 57 W
MSL Seviyesi — 1
RoHS Durumu — Compliant
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
Body Diode — Intrinsic, avalanche-rated

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin