BSC520N15NS3G vs BSC520N15NS3 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار BSC520N15NS3G توسط Infineon و BSC520N15NS3 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | BSC520N15NS3G | BSC520N15NS3 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | BSC520N15NS3 G | — |
| Technology | OptiMOS 3 (trench-gate N-channel) | OptiMOS 3, N-channel trench MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) max at TC=25C | 21 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 52 mΩ at VGS=10 V | — |
| Power Dissipation (Ptot) at TC=25C | 57 W | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| دمای اتصال کاری | -55C to +150C | -55C to +150C |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-5 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پایه | 8 | — |
| Lead Plating | Pb-free | — |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| JEDEC Qualification | Qualified per JEDEC | — |
| Channel Type | N-Channel (normal level) | — |
| Typical Application | DC-DC conversion, synchronous rectification | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | — | 21 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 84 A |
| On-State Resistance RDS(on) max (VGS=10V) | — | 52 mOhm |
| Gate-Source Voltage VGS max | — | +/- 20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3 V |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 57 W |
| سطح MSL | — | 1 |
| وضعیت RoHS | — | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| Body Diode | — | Intrinsic, avalanche-rated |