BSD214SNH6327XTSA1 vs BSO613SPVGXUMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSD214SNH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSO613SPVGXUMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSD214SNH6327XTSA1 BSO613SPVGXUMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS OptiMOS (Trench)
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 20 V —
Continuous Drain Current (Id) at 25C 1.5 A —
Power Dissipation (Pd) at Ta 500 mW —
Gate Drive Voltage (Rds On rated) 2.5 V, 4.5 V —
Rds On (Max) @ Vgs=4.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=4.5V] —
Rds On (Max) @ Vgs=2.5V [DATA_NEEDED: Rds On at Vgs=2.5V] —
Vgs(th) (typical) [DATA_NEEDED: Vgs threshold typical] —
Paket SOT-363 (PG-SOT363-PO), 6-pin PG-DSO-8-6 (Power-SO-8)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction) -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs)
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Lead Plating Pb-free —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8)
Standard Pack Quantity 3000 (Tape & Reel) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -60 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -3.44 A
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
RDS(on) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM pulsed value]
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max +/-V]
Lead-Free — Yes
Avalanche Rated — Yes (per Infineon OptiMOS family)
Pin Sayısı — 8 (6 active, 2 thermal/NC)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin