BSD235CH6327XTSA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSD235CH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSC094N06LS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSD235CH6327XTSA1 BSC094N06LS5ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 60 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS™ 5 (logic-level)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS Durumu Compliant (lead-free) Compliant
MSL Seviyesi 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Pin Sayısı 6 —
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +150 °C
Paket — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin