BSD235CH6327XTSA1 vs BSC094N06LS5ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSD235CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSC094N06LS5ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSD235CH6327XTSA1 BSC094N06LS5ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS™ —
Configuration N+P complementary dual MOSFET —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 20 V 60 V
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 950 mA —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 530 mA (negative polarity) —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW —
Package Type PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS™ low-voltage OptiMOS™ 5 (logic-level)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (junction) —
Polarity N-channel + P-channel —
Channel Mode Enhancement —
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free) Compliant
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
پن کی تعداد 6 —
Part Number — BSC094N06LS5ATMA1
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 47 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100°C — [DATA_NEEDED: ID at TC=100C]
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
RDS(on) max at VGS=10 V — 9.4 mΩ
RDS(on) max at VGS=4.5 V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 36 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 °C to +150 °C
پیکیج — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8 5x6)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں