BSF134N10NJ3GXUMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSF134N10NJ3GXUMA1 tarafından Infineon ve IPD068N10N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSF134N10NJ3GXUMA1 IPD068N10N3GATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 100 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.2 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 43 W —
Paket MG-WDSON-2 (CanPAK M) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode Single
Terminal Position Bottom —
Terminal Finish Silver Nickel —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Technology Trench-gate OptiMOS planar OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] —
Body Diode Reverse Recovery [DATA_NEEDED: trr value] —
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin