BSF134N10NJ3GXUMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSF134N10NJ3GXUMA1 توسط Infineon و IPD068N10N3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSF134N10NJ3GXUMA1 IPD068N10N3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 100 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.2 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 43 W —
بسته‌بندی MG-WDSON-2 (CanPAK M) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode Single
Terminal Position Bottom —
Terminal Finish Silver Nickel —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Technology Trench-gate OptiMOS planar OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] —
Body Diode Reverse Recovery [DATA_NEEDED: trr value] —
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
دمای اتصال کاری — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت