BSF134N10NJ3GXUMA1 vs IPD068N10N3GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSF134N10NJ3GXUMA1 بذریعہ Infineon اور IPD068N10N3GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSF134N10NJ3GXUMA1 BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 - 100V OptiMOS N-Ch MOSFET, 9A/40A | Infineon

BSF134N10NJ3GXUMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSF134N10NJ3GXUMA1 IPD068N10N3GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 100 V —
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 40 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25°C 2.2 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 43 W —
پیکیج MG-WDSON-2 (CanPAK M) PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in diode Single
Terminal Position Bottom —
Terminal Finish Silver Nickel —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C (TJ max) [DATA_NEEDED: exact Min/Max from datasheet] —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Technology Trench-gate OptiMOS planar OptiMOS 3 (N-Channel, Enhancement Mode)
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg value] —
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max value] —
Body Diode Reverse Recovery [DATA_NEEDED: trr value] —
Part Number — IPD068N10N3GATMA1
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 90 A
On-Resistance RDS(on) max — 6.8 mOhm
Power Dissipation (PD) at Tc — 150 W
Gate Threshold Voltage VGS(th) — 2.0 V to 4.0 V (typical)
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Channel Type — N-Channel
Packing — Tape & Reel (T/R)
Qualification — Industrial (non-automotive)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں