BSL308PEH6327XTSA1 vs BSL215CH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSL308PEH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSL215CH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
BSL215CH6327XTSA1 - 20V 1.5A N+P Complementary OptiMOS | Infineon
BSL215CH6327XTSA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | BSL308PEH6327XTSA1 | BSL215CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | OptiMOS |
| FET Type | 2x P-Channel (Dual) | N-Channel and P-Channel Complementary Pair |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| Paket | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) | — |
| Configuration | Dual, common source | Half-bridge (1 N + 1 P) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +150 C (TJ) | -55C to +150C |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| Pin Sayısı | 6 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 1.5 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | 250 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 500 mW |
| Paket / Kas | — | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) |
| Technology | — | OptiMOS trench MOSFET |
| MSL Seviyesi | — | 1 (unlimited) |
| Lead-Free | — | Yes |