BSL308PEH6327XTSA1 vs BSL215CH6327XTSA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSL308PEH6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSL215CH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BSL308PEH6327XTSA1 | BSL215CH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS | OptiMOS |
| FET Type | 2x P-Channel (Dual) | N-Channel and P-Channel Complementary Pair |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| پیکیج | PG-TSOP6-6 (TSOT-23-6) | — |
| Configuration | Dual, common source | Half-bridge (1 N + 1 P) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | -55 C to +150 C (TJ) | -55C to +150C |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | — |
| پنز کی تعداد | 6 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V / 4.5V] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (I_D) | — | 1.5 A |
| R_DS(on) Max @ V_GS=4.5V | — | 250 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 500 mW |
| پیکیج / کیس | — | PG-TSOP6-6 (6-pin TSOP) |
| Technology | — | OptiMOS trench MOSFET |
| MSL لیول | — | 1 (unlimited) |
| Lead-Free | — | Yes |