BSO613SPVGXUMA1 vs BSS127H6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSO613SPVGXUMA1 tarafından Infineon ve BSS127H6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSO613SPVGXUMA1 BSS127H6327XTSA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel N-Channel SIPMOS, enhancement mode
Drain-Source Voltage (VDS) -60 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -3.44 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Paket PG-DSO-8-6 (Power-SO-8) SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS (Trench) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max values] 4.5 V (logic level, rated)
RDS(on) at VGS=10V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V] —
RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=4.5V] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +150C (junction, per industry standard for Power-SO-8 MOSFETs) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max +/-V] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
MSL Seviyesi MSL3 (per JEDEC J-STD-020, industry standard for Power-SO-8) [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS Durumu Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes —
Avalanche Rated Yes (per Infineon OptiMOS family) —
Pin Sayısı 8 (6 active, 2 thermal/NC) 3
Continuous Drain Current (ID) — 21 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) — [DATA_NEEDED: pulsed ID limit]
On-State Resistance (RDS(on)) max — 500 ohm at ID = 21 mA
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW (Ta)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +150 C
dv/dt Rated — Yes
Automotive Qualification — AEC-Q101
Klorürsüz — Yes, per IEC 61249-2-21

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin