BSP129H6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP129H6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSP135H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP129H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) 45 ohm at VGS = 0 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Operating Mode — Normally ON (depletion)
Technology — SIPMOS (planar DMOS)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction, typical)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin