BSP129H6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של BSP129H6327XTSA1 מאת Infineon ו BSP135H6327XTSA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | BSP129H6327XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 350 mA | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 4.2 ohm (some sources 6 ohm) | 45 ohm at VGS = 0 V |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.8 W | — |
| מארז | PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Threshold Voltage VGS(off) | [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] | — |
| dv/dt Ruggedness | Yes (rated) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 |
| Process Technology | SIPMOS (vertical DMOS) | — |
| Drain Terminal | Tab (pin 4) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | BSP135H6327XTSA1 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Operating Mode | — | Normally ON (depletion) |
| Technology | — | SIPMOS (planar DMOS) |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +150C (junction, typical) |