BSP129H6327XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSP129H6327XTSA1 بذریعہ Infineon اور BSP135H6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 - 600V N-Ch Depletion-Mode MOSFET | Infineon

BSP135H6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSP129H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
On-Resistance RDS(on) max 4.2 ohm (some sources 6 ohm) 45 ohm at VGS = 0 V
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
پیکیج PG-SOT223-4 (SOT-223, 3+Tab) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55 C to +150 C (junction) —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Threshold Voltage VGS(off) [DATA_NEEDED: depletion threshold VGS(off)] —
dv/dt Ruggedness Yes (rated) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Process Technology SIPMOS (vertical DMOS) —
Drain Terminal Tab (pin 4) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSP135H6327XTSA1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Operating Mode — Normally ON (depletion)
Technology — SIPMOS (planar DMOS)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction, typical)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں