BSP316PH6327XTSA1 vs BSD235CH6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP316PH6327XTSA1 tarafından Infineon ve BSD235CH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP316PH6327XTSA1 BSD235CH6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) -100 V 20 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C -680 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C 1.8 W —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Paket PG-SOT223-4 (TO-261-4) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (junction) -55 °C to +150 °C (junction)
Pin Sayısı 3 + thermal tab —
Channel Mode Enhancement Enhancement
Technology SIPMOS (P-channel MOSFET) OptiMOS™ low-voltage
RoHS Durumu Compliant Compliant (lead-free)
MSL Seviyesi 1 1
Packaging Tape & Reel (H6327 suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS™
Configuration — N+P complementary dual MOSFET
N-Channel Continuous Drain Current (ID) — 950 mA
P-Channel Continuous Drain Current (ID) — 530 mA (negative polarity)
Total Power Dissipation (Ptot) — 500 mW
Package Type — PG-SOT363-6-1 (SOT-363, 6-pin)
Polarity — N-channel + P-channel
Pin Sayısı — 6

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin